삼성전자가 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 SK하이닉스를 거세게 추격하고 있다. 두 회사 간 점유율 격차는 10% 후반대까지 좁혀졌다. 삼성전자의 HBM의 수율은 70%까지 올라가고, 자사 HBM 내 HBM4 출하 비중이 30% 중반대까지 높아진 것으로 추정되는데, 향후 HBM 시장에서 국내 반도체 양간 간 경쟁이 한층 치열해질 것으로 관측된다.
7일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 올해 2분기 SK하이닉스의 HBM 시장 점유율은 50%로 집계됐다. 전분기 대비 8%포인트 줄었다. 반면 같은 기간 삼성전자의 점유율은 21%포인트에서 33%로 12% 포인트 급등했다. 마이크론의 점유율은 18%로 3위에 머물렀다.
지난해 2분기만해도 HBM시장 점유율은 SK하이닉스가 64%, 삼성전자가 15%로 두 회사간 격차는 49%포인트에 달했다. 삼성전자는 마이크론(21%) 보다도 시장점유율이 낮았다. 하지만 1년 새 SK하이닉스의 점유율은 50%로 하락한 반면, 삼성전자는 33%로 껑충 뛰었다. 양 사간 점유율 격차가 17%포인트로 줄어든 것이다. 카운터포인트리서치는 “삼성전자가 HBM4 출하를 본격화하면서 점유율이 점진적으로 더 늘어날 것”이라고 내다봤다.
삼성전자는 지난 2월 업계 최고 속도를 구현한 HBM4 양산 출하에 성공한 데 이어, 같은해 5월엔 세계 최초로 ‘HBM4E 12단’ 샘플을 글로벌 고객사에 출하하는 등 선두 추격에 고삐를 죄고 있다. 특히 HBM4E 12단은 전작 HBM4에서 이미 검증된 최선단 공정 기반의 1c(10나노급 6세대) D램과 자체 파운드리 4나노 로직 다이를 적용해 초미세 공정의 안정성을 극대화하는 동시에 수율과 양산성을 확보했다는 게 회사 측의 설명이다.
증권가에선 삼성전자가 HBM 수율 개선에 더해 HBM4 출하량 확대에 나선 것으로 보고 있다. LS증권은 “신규 제품 비중이 빠르게 확대되는 구간임에도 올해 2분기 HBM 믹스 수율이 전분기 대비 5%포인트 이상 이뤄진 것으로 추정된다”면서 “이는 HBM3E 초기 양산 당시와 달리 HBM4에서는 상대적으로 높은 양산성을 확보한 것”이라고 분석했다. 그러면서 “특히 HBM4가 삼성전자 메모리 사업 내 이익 기여도를 높이기 시작하면 범용 D램 중심이었던 기존 이익 구조에도 변화가 가능할 것”이라고 부연했다.
삼성전자도 자신감을 내비치고 있다. 삼성전자는 지난 7월30일 진행한 올해 2분기 실적발표 콘퍼런스 콜에서 “3분기 HBM4 매출은 전분기 대비 3배 이상 늘고, 하반기 기준으로는 전체 HBM4 비중이 전체 HBM의 60%를 넉넉히 상회할 것”이라고 밝혔다.
한편 HBM 시장에선 업계 3위인 마이크론은 물론, 최근 중국 증시에 성공적으로 상장한 창신메모리테크놀로지(CXMT)의 거센 도전이 예상된다. 현재 마이크론은 대부분 HBM3E를 생산하는데, 연말까지 HBM4 비중을 50%까지 늘린다는 계획이다. 올 2분기 D램 시장점유율 10%를 기록한 CXMT는 조만간 HBM3E 양산에 나선다는 구상이다.
오현승 기자 hsoh@segye.com
